楼上的,你有实际证据来证明IR的管子质量不好吗?!你怎么就知道IR的驱动芯片就没几个人用?我就是IR公司的!

目前国外的VDMOS可以做到上GHZ的工作频率,但功率非常小,兄弟要不要,我这里有?只要你兜里的米足够多:)

thisisreallymissionimpossible!对有标称雪崩耐量的器件来说,器件能够有小范围的承载短暂(10ns以内)overload的能力.但决没有可能承受100ns两倍于标称耐压值的器件存在,不仅是MOSFET,IGTB,FRED同样不可能

老兄,你对封装的要求限制死了你没法找到你要的管子.SF30JC10是100V/30A共阴的管子.TO220芯片的面积决定了它没法有那么大的电流容量.

稳压二极管,控制C10充放电的

llllrrrr2001老兄似乎并没有把炸管的原因讲明白.如果是因为IRFP460的容量不够大,那倒是应该考虑选择容量大一些的管子.但是老兄是否有考虑过成本问题,能够满足你要求的又能够便宜到象IRF460那样的管子还真不好找.APT5020的电流容量并不能满足你的需求.如果你愿意试验APT的产品,建议你试一下APT5015BVR,500V/32A.还有一颗APT5014BLL正好符合你的要求,500V/35A,而且开关速度要比APT5015BVR快很多,但是价格要贵一些.

MOS功率管大部时间是工作在饱和区而不是线性区.

我想那一定是经过核算过的经验值.用IGBT散热好,这是无稽之谈,处理单管的散热问题,远要比模块复杂得多.价格低,那倒是真的.你要是想价格低,去找IR或者仙童的管子来用,一颗不够两颗,两颗不够三颗......一颗管子一块多一点美刀,便宜着呢,兄弟.

一个PN结就是一个二级管.所有的半导体器件都存在PN结,所以没可能有没有体二极管的半导体器件存在.只是说通过特殊的工艺来降低或强化它的作用.你说的应该是所为的内置二极管吧?就是单独再做一个二极管和本身的MOS管并联封装在一起.

我不是做变频器的.但我在跟EMERSON变频器部门的器件经理交谈时,她说3KW以下的用分立器件成本会更低.当然,前提条件是熟悉分立器件的使用.大家现时使用IPM使惯了,所以到很少有人会费心思去用分立器件去搭电路.