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打开高效能源之门的钥匙——英飞凌氮化镓CoolGan功率器件测评

提到氮化镓功率管,电源工程师们都知道它的速度快,频带高,但还是会觉得有些陌生。其实氮化镓工艺早就在LED和射频晶体管领域得到了多年的应用。

氮化镓是一种宽禁带半导体材料(WBG),与硅等传统的半导体材料相比,它能够让器件在更高的饱和电子迁移率、频率和电压下运行。氮化镓和硅的截面图,硅是垂直型的结构,氮化镓是平面型的结构,在结构上有本质的不同。硅的带隙是1.1电子伏特,氮化镓是3.4电子伏特。氮化镓已经在60年代应用于LED产品中,只是在电源类产品中在近几年被慢慢市场开始接受。


英飞凌是目前唯一覆盖普通硅、碳化硅、氮化镓三种工艺的功率管的公司。提到英飞凌,大家都知道他的CoolMOS Mosfet。笔者最近拿到了英飞凌推出的CoolGaN™ 产品——IGO60R070,下面分享给大家。




 CoolGaN™能工作在更高的频率下,那么,在高频下的应用该如何设计呢?CoolGaN™该如何驱动比较合适呢?

 

     下面我们先来对比一下基于普通硅工艺、碳化硅、氮化镓3种工艺的功率管的驱动特性:



上图测试的是英飞凌的一款CoolMOS™(IPW60R040C7)的IV曲线,设置Vgs-2V+5V下的Vds0-21V下的Ids曲线。

从图中可以看出, 在Vds15V左右时,Vgs>=4V进入完全导通状态。

 

再看看碳化硅工艺的功率管:



碳化硅功率管在Vds=20VVgs=4V时还未能进入完全导通的状态,但在Vds=2V左右时,Vgs=4.5V就进入完全导通的状态了。

 

再看看氮化镓工艺的CoolGaN IGO60R070D1:



从图中可以看出,在Vgs-2V+5V整个范围内,CoolGaN IGO60R070D1均未完全导通,即使在VDS=21VVgs=5V时,Ids也不到300uA.



这是为什么呢?




作为电源工程师,大家都知道MosfetSicfet的规格书都会提供类似的IV曲线,先来看看现在测试的这颗英飞凌的IPW60R040C7 Mosfet的规格书:IPW60R040C7



IPW60R040C7的规格书中明确的给出了不同Vgs电压下的IV曲线,不同的是原厂采用的是更大电流的仪表来进行测量的。

 

我们再来看一下这款CoolGaN IGO60R070D1的规格书:IGT60R070D1

然而规格书中并未给出不同Vgs电压下的IV曲线,但是给出了不同Igs电流下的IV曲线:



我们知道MosfetSicfet都属于电压型控制功率器件,那么,CoolGaN™是属于电流型控制器件吗?

我们先看看IGO60R070D1规格书中给出的电流条件:




接下来测试一下不同IgsIGO60R070D1IV曲线:



规格书给出的驱动所需要的最大平均电流是20mA,设置Vgs电压限制为5V,测试Igs电流从0.1mA15mAIV曲线如上图。

从图中可以看出,IgsIds的线性关系还是比较好的,在Igs=14mAVds>15V进入完全导通状态,在Igs=15mAVds>11V进入完全导通状态。

 

     好吧,这能说明CoolGaN™是电流型控制器件吗?

    

接下来再对比一下MosfetSicfetCoolGaN™驱动的IV曲线:




设定Vds15-20V,测试Vgs电压从-5V+5V时的Igs电流。上图是IPW60R040C7 Mosfet的驱动电压和电流的IV曲线。

从图中可以看出,IPW60R040C7只有VgsMosfetVth 附近才会出现一个较大的电流,其实也就是驱动所需要的电流,但这个电流最大也不超过0.7uA。远小于CoolGaN™ 的15mA.

 

再看看Sicfet驱动的IV曲线:



同样是设定Vds15-20V,测试Vgs电压从-5V+5V时的Igs电流。

Sicfet的驱动IV曲线和Mosfet相差还是比较大的,在Vgs-5V时的漏电流相对较大,达到了0.35uA,大于-4V以上就很小了,一直到+5V时完Sicfet全开通都没有出现较大的电流,基本在10nA以内。

 

再来看看CoolGaNIGO60R070D1,既然CoolGaN™是电流型控制,那么我们来看看测试不同Igs下驱动Vgs的电压的IV曲线:

 

设定Vds15-20V,测试Igs电流从-15mA+15mA时的Vgs电压的IV曲线

从图中可以看出,CoolGaNIGO60R070D1正负电流驱动的对称性非常好,而且趋势非常明显,在电流满足的情况下,需要的Vgs电压也非常低。

 

可以定义CoolGaN™为电流型控制功率器件了吗?不过其需要的驱动电流也并不大,只需要不到20mA.




。。。。。下接第13帖。。。。。。

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MC-power
LV.4
2
2019-06-13 11:18
占位看看
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2019-06-13 11:53
排队观看中。。。。
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彭星
LV.1
4
2019-06-13 12:12
路过学习!
0
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2019-06-13 13:41
路过学习
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2019-06-13 14:18
确实太好啦,期待继续进一步学习
1
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2019-06-13 15:06
让我想想,该问点什么问题好
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lineliu
LV.4
8
2019-06-13 16:16
@lingyan
让我想想,该问点什么问题好[图片]
吃过饭没有?觉睡好了吗?
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ckj
LV.3
9
2019-06-13 18:34

J版神帖。我来凑个热闹打个下手,做一些标注。

1,,,

Vgs>4V的曲线,提醒下在红色箭头处。因为导通程度足够。

Vgs<4V的曲线,提醒下在蓝色箭头处。因为几乎都没开通。

2,,,

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2019-06-13 20:02
@ckj
J版神帖。我来凑个热闹打个下手,做一些标注。1,,,Vgs>4V的曲线,提醒下在红色箭头处。因为导通程度足够。Vgs
曹博你这是打marking啊,准备N年后再来看看有没有进步
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ckj
LV.3
11
2019-06-13 20:11
@javike
曹博你这是打marking啊,准备N年后再来看看有没有进步[图片]

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ajin-007
LV.4
12
2019-06-14 08:33
@ckj
[图片]

英飞凌的品质值得信赖,虽然交期长一点,但是品质有保障。

IGO60R070D1的耐压是600V,有没有耐压更改的管子呢?

IGO60R070D1的驱动电流为20mAmax,这个是相当的小啊,值得期待!

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2019-06-14 09:48

。。。上接第1帖。。。  


在电路设计中我们知道,弱电流信号往往比弱电压信号的抗干扰能力更强,所以,CoolGaN™在电源中应用会比MosfetSicfet更稳定和可靠。

不过在高频开关电源的应用中,还是需要按常规做法做到驱动回路尽量短小,将驱动线路中的寄生电感降低至最小,毕竟电感会抑制电流的上升。

同时,由于CoolGaN™的导通域值比较低,所以在高DV/DT和高DI/DT电路中,还是有必要在开关瞬间加入负压关断来抑制干扰。

建议采用英飞凌推出的CoolGaN™ 专用驱动芯片1EDF5673K、1EDF5673F和1EDS5663H,其不同于传统功率MOSFET的栅极驱动IC,这个针对英飞凌CoolGaN™量身定制的栅极驱动IC可提供负输出电压,以快速关断氮化镓开关。

在开关应处于关闭状态的整个持续时间内,GaN EiceDRIVER IC可以使栅极电压稳定保持为零。

这可保护氮化镓开关不受噪音导致误接通的影响,哪怕是首脉冲,这对于开关电源实现强健运行至关重要。

氮化镓栅极驱动IC可实现恒定的GaN HEMT开关转换速率,几乎不受工作循环或开关速度影响。

这可确保运行稳健性和很高能效,大大缩短研发周期。

它集成了电隔离,可在硬开关和软开关应用中实现强健运行。

它还可在开关电源的一次侧和二次侧之间提供保护,并可根据需要在功率级与逻辑级之间提供保护。



这款就是采用英飞凌CoolGaNIGO60R070D1和专用驱动IC 1EDF5673K的半桥Demo。下面采用这款Demo来实测一下CoolGaN™的效果。

首先,按照英飞凌原厂的参数接入一个12uH的电感形成一个同步Buck的电源。

41GHz带宽的普通无源探头分别测量信号发生器输入的1.5MHz时钟信号、

经过门电路生成2路互补的PWM信号送到1EDF5673K的输入端的信号、

1EDF5673K输出给IGO60R070D1的下管驱动信号;

11GHz带宽的有源中压差分探头测量另1个1EDF5673K输出给IGO60R070D1上管的驱动信号;

2200MHz的有源差分探头分别测量IGO60R070D1上下管的Vds电压波形,

1120MHz带宽的电流探头测量电感电流。  


再看看板子背面的IGO60R070D1



加上散热器再来个特写:




来看看测试波形:



1通道为信号发生器注入的1.5MHz时钟信号。

2、3通道为采用逻辑门生成的2路交错的PWM信号。

4、5通道为下管和上管的Vgs驱动电压波形。

6、7通道为下管和上管的Vds电压波形

8通道为电感电流波形。



从波形中可以看出:

1EDF5673K输出给IGO60R070D1的驱动信号是包含负压的,

而且这个负压并不是持续关断CoolGaN™的,而是等另一个管关断后会回升到0V来保持的,

这样一来,既避免因为DV/DTDI/DT导致的干扰误动作,也进一步降低了关断维持的损耗。

所需要的驱动电压很低,而且测得的驱动信号上升沿非常快,只有7nS左右。

   Vds电压可能是因为差分探头测量线长的原因,有点震荡。




Vds测量通道的带宽限制到20MHz就很漂亮了。

 

另外,采用这款半桥的Demo还可以接成Boost,甚至LLC拓扑进行测试。



上图就是采用这款Demo做的开环半桥LLC电源,稳定工作频率达到了4.5MHz


基于CoolGaN™的更高频率等你来挑战。。。


。。。下接第20帖。。。


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2019-06-14 10:46
@ajin-007
英飞凌的品质值得信赖,虽然交期长一点,但是品质有保障。IGO60R070D1的耐压是600V,有没有耐压更改的管子呢?IGO60R070D1的驱动电流为20mAmax,这个是相当的小啊,值得期待!

耐压更高可以用碳化硅了,碳化硅在更高电压上还是比氮化镓有优势点。

英飞凌也有碳化硅的产品。

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yujunice
LV.5
15
2019-06-14 11:58
@javike
。。。上接第1帖。。。  在电路设计中我们知道,弱电流信号往往比弱电压信号的抗干扰能力更强,所以,CoolGaN™在电源中应用会比Mosfet和Sicfet更稳定和可靠。不过在高频开关电源的应用中,还是需要按常规做法做到驱动回路尽量短小,将驱动线路中的寄生电感降低至最小,毕竟电感会抑制电流的上升。同时,由于CoolGaN™的导通域值比较低,所以在高DV/DT和高DI/DT电路中,还是有必要在开关瞬间加入负压关断来抑制干扰。建议采用英飞凌推出的CoolGaN™专用驱动芯片1EDF5673K、1EDF5673F和1EDS5663H,其不同于传统功率MOSFET的栅极驱动IC,这个针对英飞凌CoolGaN™量身定制的栅极驱动IC可提供负输出电压,以快速关断氮化镓开关。在开关应处于关闭状态的整个持续时间内,GaNEiceDRIVERIC可以使栅极电压稳定保持为零。这可保护氮化镓开关不受噪音导致误接通的影响,哪怕是首脉冲,这对于开关电源实现强健运行至关重要。氮化镓栅极驱动IC可实现恒定的GaNHEMT开关转换速率,几乎不受工作循环或开关速度影响。这可确保运行稳健性和很高能效,大大缩短研发周期。它集成了电隔离,可在硬开关和软开关应用中实现强健运行。它还可在开关电源的一次侧和二次侧之间提供保护,并可根据需要在功率级与逻辑级之间提供保护。[图片]这款就是采用英飞凌CoolGaN™IGO60R070D1和专用驱动IC1EDF5673K的半桥Demo。下面采用这款Demo来实测一下CoolGaN™的效果。[图片]首先,按照英飞凌原厂的参数接入一个12uH的电感形成一个同步Buck的电源。4个1GHz带宽的普通无源探头分别测量信号发生器输入的1.5MHz时钟信号、经过门电路生成2路互补的PWM信号送到1EDF5673K的输入端的信号、1EDF5673K输出给IGO60R070D1的下管驱动信号;1个1GHz带宽的有源中压差分探头测量另1个1EDF5673K输出给IGO60R070D1上管的驱动信号;2个200MHz的有源差分探头分别测量IGO60R070D1上下管的Vds电压波形,1个120MHz带宽的电流探头测量电感电流。  [图片]再看看板子背面的IGO60R070D1[图片]加上散热器再来个特写:[图片]来看看测试波形:[图片]1通道为信号发生器注入的1.5MHz时钟信号。2、3通道为采用逻辑门生成的2路交错的PWM信号。4、5通道为下管和上管的Vgs驱动电压波形。6、7通道为下管和上管的Vds电压波形8通道为电感电流波形。[图片]从波形中可以看出:1EDF5673K输出给IGO60R070D1的驱动信号是包含负压的,而且这个负压并不是持续关断CoolGaN™的,而是等另一个管关断后会回升到0V来保持的,这样一来,既避免因为DV/DT和DI/DT导致的干扰误动作,也进一步降低了关断维持的损耗。所需要的驱动电压很低,而且测得的驱动信号上升沿非常快,只有7nS左右。  Vds电压可能是因为差分探头测量线长的原因,有点震荡。[图片]将Vds测量通道的带宽限制到20MHz就很漂亮了。 另外,采用这款半桥的Demo还可以接成Boost,甚至LLC拓扑进行测试。[图片]上图就是采用这款Demo做的开环半桥LLC电源,稳定工作频率达到了4.5MHz。基于CoolGaN™的更高频率等你来挑战。。。。。。下接第20帖。。。

按照英飞凌原厂的参数接入一个12uH的电感形成一个同步Buck的电源。

4个1GHz带宽的普通无源探头分别测量信号发生器输入的1.5MHz时钟信号、

经过门电路生成2路互补的PWM信号送到1EDF5673K的输入端的信号、

1EDF5673K输出给IGO60R070D1的下管驱动信号;

1个1GHz带宽的有源中压差分探头测量另1个1EDF5673K输出给IGO60R070D1上管的驱动信号;

2个200MHz的有源差分探头分别测量IGO60R070D1上下管的Vds电压波形,

1个120MHz带宽的电流探头测量电感电流。 

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2019-06-14 15:23
GaN功率管可以工作在更好的频率,能为电源产品带来更优的技术指标,可以在电源应用层面多讨论下。更高的频率可以减小电感变压器的体积,进而减小整个电源的体积,但更高频率的磁材设计需要考虑。如果是软开关可以减小开关损耗,但如果是普通的硬开关,更高的开关频率会不会带来更大的开关损耗…本贴中的DEMO开发板的规格型号是什么?可以入手一个进行测试
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dy-xq5gLF1q
LV.4
17
2019-06-16 19:05
@电源DIY_无风无雨
GaN功率管可以工作在更好的频率,能为电源产品带来更优的技术指标,可以在电源应用层面多讨论下。更高的频率可以减小电感变压器的体积,进而减小整个电源的体积,但更高频率的磁材设计需要考虑。如果是软开关可以减小开关损耗,但如果是普通的硬开关,更高的开关频率会不会带来更大的开关损耗…本贴中的DEMO开发板的规格型号是什么?可以入手一个进行测试
有没有这个板子的资料?
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2019-06-17 09:57
@dy-xq5gLF1q
[图片]有没有这个板子的资料?
后面会对这款板子做测试
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2019-06-17 09:58
@电源DIY_无风无雨
GaN功率管可以工作在更好的频率,能为电源产品带来更优的技术指标,可以在电源应用层面多讨论下。更高的频率可以减小电感变压器的体积,进而减小整个电源的体积,但更高频率的磁材设计需要考虑。如果是软开关可以减小开关损耗,但如果是普通的硬开关,更高的开关频率会不会带来更大的开关损耗…本贴中的DEMO开发板的规格型号是什么?可以入手一个进行测试
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2019-06-17 10:14

。。。上接第13帖。。。



再实测一下基于英飞凌CoolGaN™的无桥PFC电源:

        



工作条件:

输入电压:AC 85-265V 50/60HZ

输出电压:DC 390V

输出功率:2500W (低压输入时功率降额)

更多详细数据请参考英飞凌的应用文档:



从实物来看,不同于很多其他品牌的DEMO的地方,很多其他品牌DEMO在为了衬托其高功率密度时,铆足了劲的跑高频,没有做EMI方面的考虑,甚至连EMI部分的电路都直接没有,

英飞凌这款基于CoolGaN™的无桥PFCEMI部分占据了大约1/4的空间,先来看看他的EMI的表现:


按照EN55022的标准来看,基于CoolGaN™的无桥PFC的传导表现还是非常棒的。余量完全满足相对严格的要求(6dB以上余量)。

 

再来看看他的效率表现:




热机1小时后,在15%负载以上效率均在99%左右,输出860W时效率高达99.48%2510W时效率仍高达99%,损耗仅仅只有25.1W,温升不用测了的节奏。

 

附上电路图:

         



这款基于CoolGaN™的无桥PFC采用的是比较新的图腾柱式PFC拓扑,CoolGaN™工艺决定了其没有寄生二极管,电流可以双向流动,

而且完全没有任何反向恢复电荷,这也是传统的MosfetSicfet无法比拟的,所以图腾柱式PFCCoolGaN™是完美的设计组合。

 

再来看看工作的波形:

         



1、2通道为CoolGaNIGO60R070D165KHz开关频率下Vds电压波形;

3、4通道为CoolMOSIPT65R033G750Hz开关频率下的Vds电压波形;

5、7通道为输入电压和电流波形;

8 通道为PFC电感电流的波形。

 

这款基于CoolGaN™的无桥PFC采用的是英飞凌的模拟控制器ICE3PCS01G,工作在CCM状态,能获得更低的纹波电流和更高的功率因数以及更好的THD

 

当然,毕竟还是硬开关的工作状态,所以对开关管的可靠性要求也很高,特别是2颗工作在高频65KHz下的CoolGaNIGO60R070D1功率管。

CoolGaNIGO60R070D1不仅开关速度快,而且没有反向恢复损耗的问题,成为图腾柱式CCM无桥PFC的理想应用器件。



展开看看:

        


输入电流的正弦波非常漂亮,开关没有任何尖峰。


。。。下接第56帖。。。



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EDSTRNDDF
LV.4
21
2019-06-17 12:28
@javike
。。。上接第13帖。。。再实测一下基于英飞凌CoolGaN™的无桥PFC电源:     [图片]工作条件:输入电压:AC85-265V50/60HZ输出电压:DC390V输出功率:2500W(低压输入时功率降额)更多详细数据请参考英飞凌的应用文档:[图片][图片]从实物来看,不同于很多其他品牌的DEMO的地方,很多其他品牌DEMO在为了衬托其高功率密度时,铆足了劲的跑高频,没有做EMI方面的考虑,甚至连EMI部分的电路都直接没有,英飞凌这款基于CoolGaN™的无桥PFC的EMI部分占据了大约1/4的空间,先来看看他的EMI的表现:[图片]按照EN55022的标准来看,基于CoolGaN™的无桥PFC的传导表现还是非常棒的。余量完全满足相对严格的要求(6dB以上余量)。 再来看看他的效率表现:[图片]热机1小时后,在15%负载以上效率均在99%左右,输出860W时效率高达99.48%。2510W时效率仍高达99%,损耗仅仅只有25.1W,温升不用测了的节奏。 附上电路图:     [图片]这款基于CoolGaN™的无桥PFC采用的是比较新的图腾柱式PFC拓扑,CoolGaN™工艺决定了其没有寄生二极管,电流可以双向流动,而且完全没有任何反向恢复电荷,这也是传统的Mosfet和Sicfet无法比拟的,所以图腾柱式PFC与CoolGaN™是完美的设计组合。 再来看看工作的波形:     [图片]1、2通道为CoolGaN™IGO60R070D1在65KHz开关频率下Vds电压波形;3、4通道为CoolMOS™IPT65R033G7在50Hz开关频率下的Vds电压波形;5、7通道为输入电压和电流波形;8通道为PFC电感电流的波形。 这款基于CoolGaN™的无桥PFC采用的是英飞凌的模拟控制器ICE3PCS01G,工作在CCM状态,能获得更低的纹波电流和更高的功率因数以及更好的THD。 当然,毕竟还是硬开关的工作状态,所以对开关管的可靠性要求也很高,特别是2颗工作在高频65KHz下的CoolGaN™IGO60R070D1功率管。而CoolGaN™IGO60R070D1不仅开关速度快,而且没有反向恢复损耗的问题,成为图腾柱式CCM无桥PFC的理想应用器件。展开看看:     [图片]输入电流的正弦波非常漂亮,开关没有任何尖峰。。。。下接第56帖。。。
这效率和波波
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yyj1115
LV.2
22
2019-06-17 17:50
对于GaN功率器件,可以作为发光二极管使用,作为LED成为主导产品,GaN晶体管也将随材料生长和器件工艺的发展而迅猛发展;氮化镓材料中载流子的有效质量较大,输运性质较差,则低电场迁移率低,高频性能差。在高频电路中是否可以适用呢?
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suh520
LV.4
23
2019-06-17 17:55
路过学习
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kexuezhizi
LV.4
24
2019-06-17 18:07
@javike
。。。上接第1帖。。。  在电路设计中我们知道,弱电流信号往往比弱电压信号的抗干扰能力更强,所以,CoolGaN™在电源中应用会比Mosfet和Sicfet更稳定和可靠。不过在高频开关电源的应用中,还是需要按常规做法做到驱动回路尽量短小,将驱动线路中的寄生电感降低至最小,毕竟电感会抑制电流的上升。同时,由于CoolGaN™的导通域值比较低,所以在高DV/DT和高DI/DT电路中,还是有必要在开关瞬间加入负压关断来抑制干扰。建议采用英飞凌推出的CoolGaN™专用驱动芯片1EDF5673K、1EDF5673F和1EDS5663H,其不同于传统功率MOSFET的栅极驱动IC,这个针对英飞凌CoolGaN™量身定制的栅极驱动IC可提供负输出电压,以快速关断氮化镓开关。在开关应处于关闭状态的整个持续时间内,GaNEiceDRIVERIC可以使栅极电压稳定保持为零。这可保护氮化镓开关不受噪音导致误接通的影响,哪怕是首脉冲,这对于开关电源实现强健运行至关重要。氮化镓栅极驱动IC可实现恒定的GaNHEMT开关转换速率,几乎不受工作循环或开关速度影响。这可确保运行稳健性和很高能效,大大缩短研发周期。它集成了电隔离,可在硬开关和软开关应用中实现强健运行。它还可在开关电源的一次侧和二次侧之间提供保护,并可根据需要在功率级与逻辑级之间提供保护。[图片]这款就是采用英飞凌CoolGaN™IGO60R070D1和专用驱动IC1EDF5673K的半桥Demo。下面采用这款Demo来实测一下CoolGaN™的效果。[图片]首先,按照英飞凌原厂的参数接入一个12uH的电感形成一个同步Buck的电源。4个1GHz带宽的普通无源探头分别测量信号发生器输入的1.5MHz时钟信号、经过门电路生成2路互补的PWM信号送到1EDF5673K的输入端的信号、1EDF5673K输出给IGO60R070D1的下管驱动信号;1个1GHz带宽的有源中压差分探头测量另1个1EDF5673K输出给IGO60R070D1上管的驱动信号;2个200MHz的有源差分探头分别测量IGO60R070D1上下管的Vds电压波形,1个120MHz带宽的电流探头测量电感电流。  [图片]再看看板子背面的IGO60R070D1[图片]加上散热器再来个特写:[图片]来看看测试波形:[图片]1通道为信号发生器注入的1.5MHz时钟信号。2、3通道为采用逻辑门生成的2路交错的PWM信号。4、5通道为下管和上管的Vgs驱动电压波形。6、7通道为下管和上管的Vds电压波形8通道为电感电流波形。[图片]从波形中可以看出:1EDF5673K输出给IGO60R070D1的驱动信号是包含负压的,而且这个负压并不是持续关断CoolGaN™的,而是等另一个管关断后会回升到0V来保持的,这样一来,既避免因为DV/DT和DI/DT导致的干扰误动作,也进一步降低了关断维持的损耗。所需要的驱动电压很低,而且测得的驱动信号上升沿非常快,只有7nS左右。  Vds电压可能是因为差分探头测量线长的原因,有点震荡。[图片]将Vds测量通道的带宽限制到20MHz就很漂亮了。 另外,采用这款半桥的Demo还可以接成Boost,甚至LLC拓扑进行测试。[图片]上图就是采用这款Demo做的开环半桥LLC电源,稳定工作频率达到了4.5MHz。基于CoolGaN™的更高频率等你来挑战。。。。。。下接第20帖。。。
测评贴很精彩,我是一个电源新手。问个功率管的问题,我之前做心电除颤器用的是IGBT,绝缘栅双极型晶体管,导通过,可通过的电流很大,最大可以达到1000A,那么我的想法是,如果这个应用场景,换作氮化镓CoolGan功率器件是否可以用,是否可以代替IGBT器件,如果能的话,氮化镓器件的优点是什么?如果不能是哪方面的参数不满足条件?
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2019-06-17 18:27
英飞凌的COOLMOS有用过,GANMOS也有用过,这个Cool-GaNMOS就没用过了,不知道性价比怎么样啊,这个是采用的新技术吗,最大的优势在哪里啊,我们这对成本控制的比较严,希望以后能用上,对英飞凌的MOS管还是很信任的
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gaon
LV.7
26
2019-06-17 19:22
@javike
。。。上接第13帖。。。再实测一下基于英飞凌CoolGaN™的无桥PFC电源:     [图片]工作条件:输入电压:AC85-265V50/60HZ输出电压:DC390V输出功率:2500W(低压输入时功率降额)更多详细数据请参考英飞凌的应用文档:[图片][图片]从实物来看,不同于很多其他品牌的DEMO的地方,很多其他品牌DEMO在为了衬托其高功率密度时,铆足了劲的跑高频,没有做EMI方面的考虑,甚至连EMI部分的电路都直接没有,英飞凌这款基于CoolGaN™的无桥PFC的EMI部分占据了大约1/4的空间,先来看看他的EMI的表现:[图片]按照EN55022的标准来看,基于CoolGaN™的无桥PFC的传导表现还是非常棒的。余量完全满足相对严格的要求(6dB以上余量)。 再来看看他的效率表现:[图片]热机1小时后,在15%负载以上效率均在99%左右,输出860W时效率高达99.48%。2510W时效率仍高达99%,损耗仅仅只有25.1W,温升不用测了的节奏。 附上电路图:     [图片]这款基于CoolGaN™的无桥PFC采用的是比较新的图腾柱式PFC拓扑,CoolGaN™工艺决定了其没有寄生二极管,电流可以双向流动,而且完全没有任何反向恢复电荷,这也是传统的Mosfet和Sicfet无法比拟的,所以图腾柱式PFC与CoolGaN™是完美的设计组合。 再来看看工作的波形:     [图片]1、2通道为CoolGaN™IGO60R070D1在65KHz开关频率下Vds电压波形;3、4通道为CoolMOS™IPT65R033G7在50Hz开关频率下的Vds电压波形;5、7通道为输入电压和电流波形;8通道为PFC电感电流的波形。 这款基于CoolGaN™的无桥PFC采用的是英飞凌的模拟控制器ICE3PCS01G,工作在CCM状态,能获得更低的纹波电流和更高的功率因数以及更好的THD。 当然,毕竟还是硬开关的工作状态,所以对开关管的可靠性要求也很高,特别是2颗工作在高频65KHz下的CoolGaN™IGO60R070D1功率管。而CoolGaN™IGO60R070D1不仅开关速度快,而且没有反向恢复损耗的问题,成为图腾柱式CCM无桥PFC的理想应用器件。展开看看:     [图片]输入电流的正弦波非常漂亮,开关没有任何尖峰。。。。下接第56帖。。。
非常棒的贴子, 看完贴子,相当于对产品的DATA SHEET 作了个讲解,对于一些特性曲线和主关参数会有更深入的理解,同样如何评估一个产品的好坏,如何选择更合适的器件, 看了这样的贴子,也就非常清楚了,英飞凌的产品特别在汽车和工业领域里应用是非常靠谱的,不仅是性能优异,口碑更是好的吓人,德国品质,加上中德历史传承的良好合作和技术标准的统一,选择英飞凌产品绝对是一个最佳的选择。
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xxbw6868
LV.9
27
2019-06-17 21:06
@javike
。。。上接第1帖。。。  在电路设计中我们知道,弱电流信号往往比弱电压信号的抗干扰能力更强,所以,CoolGaN™在电源中应用会比Mosfet和Sicfet更稳定和可靠。不过在高频开关电源的应用中,还是需要按常规做法做到驱动回路尽量短小,将驱动线路中的寄生电感降低至最小,毕竟电感会抑制电流的上升。同时,由于CoolGaN™的导通域值比较低,所以在高DV/DT和高DI/DT电路中,还是有必要在开关瞬间加入负压关断来抑制干扰。建议采用英飞凌推出的CoolGaN™专用驱动芯片1EDF5673K、1EDF5673F和1EDS5663H,其不同于传统功率MOSFET的栅极驱动IC,这个针对英飞凌CoolGaN™量身定制的栅极驱动IC可提供负输出电压,以快速关断氮化镓开关。在开关应处于关闭状态的整个持续时间内,GaNEiceDRIVERIC可以使栅极电压稳定保持为零。这可保护氮化镓开关不受噪音导致误接通的影响,哪怕是首脉冲,这对于开关电源实现强健运行至关重要。氮化镓栅极驱动IC可实现恒定的GaNHEMT开关转换速率,几乎不受工作循环或开关速度影响。这可确保运行稳健性和很高能效,大大缩短研发周期。它集成了电隔离,可在硬开关和软开关应用中实现强健运行。它还可在开关电源的一次侧和二次侧之间提供保护,并可根据需要在功率级与逻辑级之间提供保护。[图片]这款就是采用英飞凌CoolGaN™IGO60R070D1和专用驱动IC1EDF5673K的半桥Demo。下面采用这款Demo来实测一下CoolGaN™的效果。[图片]首先,按照英飞凌原厂的参数接入一个12uH的电感形成一个同步Buck的电源。4个1GHz带宽的普通无源探头分别测量信号发生器输入的1.5MHz时钟信号、经过门电路生成2路互补的PWM信号送到1EDF5673K的输入端的信号、1EDF5673K输出给IGO60R070D1的下管驱动信号;1个1GHz带宽的有源中压差分探头测量另1个1EDF5673K输出给IGO60R070D1上管的驱动信号;2个200MHz的有源差分探头分别测量IGO60R070D1上下管的Vds电压波形,1个120MHz带宽的电流探头测量电感电流。  [图片]再看看板子背面的IGO60R070D1[图片]加上散热器再来个特写:[图片]来看看测试波形:[图片]1通道为信号发生器注入的1.5MHz时钟信号。2、3通道为采用逻辑门生成的2路交错的PWM信号。4、5通道为下管和上管的Vgs驱动电压波形。6、7通道为下管和上管的Vds电压波形8通道为电感电流波形。[图片]从波形中可以看出:1EDF5673K输出给IGO60R070D1的驱动信号是包含负压的,而且这个负压并不是持续关断CoolGaN™的,而是等另一个管关断后会回升到0V来保持的,这样一来,既避免因为DV/DT和DI/DT导致的干扰误动作,也进一步降低了关断维持的损耗。所需要的驱动电压很低,而且测得的驱动信号上升沿非常快,只有7nS左右。  Vds电压可能是因为差分探头测量线长的原因,有点震荡。[图片]将Vds测量通道的带宽限制到20MHz就很漂亮了。 另外,采用这款半桥的Demo还可以接成Boost,甚至LLC拓扑进行测试。[图片]上图就是采用这款Demo做的开环半桥LLC电源,稳定工作频率达到了4.5MHz。基于CoolGaN™的更高频率等你来挑战。。。。。。下接第20帖。。。
对于H桥的电路,这类产品的开关频率很多都要求达到MHz级别,普通的碳化硅MOS管性能就不能满足要求。CoolGaN这类管网上看资料说开关频率最高可以到7MHz,所以这个开关频率应用在H桥逆变电路非常适合,可以显著其提高功率和开关频率。IGO60R070D1手册中没看到最高开关频率多少的参数?是多少呢?
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hong_t
LV.6
28
2019-06-17 22:53
@javike
。。。上接第13帖。。。再实测一下基于英飞凌CoolGaN™的无桥PFC电源:     [图片]工作条件:输入电压:AC85-265V50/60HZ输出电压:DC390V输出功率:2500W(低压输入时功率降额)更多详细数据请参考英飞凌的应用文档:[图片][图片]从实物来看,不同于很多其他品牌的DEMO的地方,很多其他品牌DEMO在为了衬托其高功率密度时,铆足了劲的跑高频,没有做EMI方面的考虑,甚至连EMI部分的电路都直接没有,英飞凌这款基于CoolGaN™的无桥PFC的EMI部分占据了大约1/4的空间,先来看看他的EMI的表现:[图片]按照EN55022的标准来看,基于CoolGaN™的无桥PFC的传导表现还是非常棒的。余量完全满足相对严格的要求(6dB以上余量)。 再来看看他的效率表现:[图片]热机1小时后,在15%负载以上效率均在99%左右,输出860W时效率高达99.48%。2510W时效率仍高达99%,损耗仅仅只有25.1W,温升不用测了的节奏。 附上电路图:     [图片]这款基于CoolGaN™的无桥PFC采用的是比较新的图腾柱式PFC拓扑,CoolGaN™工艺决定了其没有寄生二极管,电流可以双向流动,而且完全没有任何反向恢复电荷,这也是传统的Mosfet和Sicfet无法比拟的,所以图腾柱式PFC与CoolGaN™是完美的设计组合。 再来看看工作的波形:     [图片]1、2通道为CoolGaN™IGO60R070D1在65KHz开关频率下Vds电压波形;3、4通道为CoolMOS™IPT65R033G7在50Hz开关频率下的Vds电压波形;5、7通道为输入电压和电流波形;8通道为PFC电感电流的波形。 这款基于CoolGaN™的无桥PFC采用的是英飞凌的模拟控制器ICE3PCS01G,工作在CCM状态,能获得更低的纹波电流和更高的功率因数以及更好的THD。 当然,毕竟还是硬开关的工作状态,所以对开关管的可靠性要求也很高,特别是2颗工作在高频65KHz下的CoolGaN™IGO60R070D1功率管。而CoolGaN™IGO60R070D1不仅开关速度快,而且没有反向恢复损耗的问题,成为图腾柱式CCM无桥PFC的理想应用器件。展开看看:     [图片]输入电流的正弦波非常漂亮,开关没有任何尖峰。。。。下接第56帖。。。
85V输入时效率有多少?
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wxgsnake
LV.4
29
2019-06-17 23:25
首先,IGO60R070采用氮化镓工艺方式,相较于普通硅和碳化硅是否纯在代替能力,如果存在,那么另两种是否还有其他更好的应用场合?要是在高频下,采用氮化镓可以完全替代同类其他方案,那么属于电流型触发的产品是否更具有发展空间,是否芯片更可靠、更稳定?文中是采用电流型和电压型比较,是否应该再列出同是电流型的其他产品或者其他公司的产品进行横向对比,那么就更有意义。
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QWE4562009
LV.6
30
2019-06-18 09:42
@javike
曹博你这是打marking啊,准备N年后再来看看有没有进步[图片]
比起COOLMOS有什么优点 
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higun
LV.4
31
2019-06-18 09:43
@wxgsnake
首先,IGO60R070采用氮化镓工艺方式,相较于普通硅和碳化硅是否纯在代替能力,如果存在,那么另两种是否还有其他更好的应用场合?要是在高频下,采用氮化镓可以完全替代同类其他方案,那么属于电流型触发的产品是否更具有发展空间,是否芯片更可靠、更稳定?文中是采用电流型和电压型比较,是否应该再列出同是电流型的其他产品或者其他公司的产品进行横向对比,那么就更有意义。

英飞凌的管子的确耐扛。

65KHz下的CoolGaN™ IGO60R070D1功率管,在硬开关的工作状态下,温升和EMC效果如此之好,值得称赞!波形测试很完美嘛!

板子功率密度高,结构紧凑,布局合理,值得参考!

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