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有关4节AAA/AA充电方案的探讨

各位网友好!
    咱们一齐讨论讨论一下四节的AAA/AA充电方案,好吗?
    在国内似乎做得不错的极少,似乎只有三洋做得比较理想(这里只谈纯技术,不谈”民族”之类,希望各位网友…)网上有些做业务的在说自己做得比日本的还要好,根据我的经验(我们已经做了三年半的研发了,仍不太理想)国内普遍不理想.主要原因我认为有如下三点:
    一:发热的问题:AC/DC发热,充电时电池也发热,充电空间也小.
    二:恰倒好处充电截止,并且每一台每一次均准确,即生产的一致性问题.
    三:在达到性能的前提下做到低成本.
    要把以上三个难点攻克,我感觉还颇有难处,大家觉得呢?
                                                      
                                                          彭工
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yr01
LV.1
2
2005-08-02 11:13
我在考虑智能控制算法,有兴趣可以共同探讨
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yr01
LV.1
3
2005-08-02 11:15
另外问一下,你们是开发公司还是生产商
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nickle
LV.3
4
2005-08-02 15:35
@yr01
另外问一下,你们是开发公司还是生产商
搞开发的
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fai11tian
LV.1
5
2005-08-03 15:02
国内有一个厂家在给三洋和松下做,量很大.
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caolin123
LV.5
6
2005-08-04 08:30
彭工说的是关于侦测电池的温度的同时,也会受到AC/DC部分的影响吧!
这确实比较麻烦!我看过有些方案,他们是把有热源的部分完全同电池分离开.
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ouyh326
LV.4
7
2005-08-12 14:47
@fai11tian
国内有一个厂家在给三洋和松下做,量很大.
请问是清溪那家吗?
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mch338
LV.3
8
2005-08-16 18:12
@ouyh326
请问是清溪那家吗?
我们公司给三洋做过,一单就几十万货
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ouyh326
LV.4
9
2005-08-16 19:52
@mch338
我们公司给三洋做过,一单就几十万货
请问大侠友没有联系方式,如不方便。  一起交流交流,谢谢!!!
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qiuyy
LV.6
10
2005-08-17 09:14
关于温升的问题,我认为要做五颗热电阻,PCB内部本身的一颗(PCB的温升当成环境温升),另外颗是外露检测电芯的,在他们的温度差的基础判断如何?另外现在目前生产的一个非常至关重要的问题就是:电压电流精度的检测,由于目前行业上芯片的AD线性以及电阻的精度都不太好,导致AD转换不太理想,在不同电压端电压精度不一样.目前有些公司比较好的做法就是软件校正,可是我们大多数公司是硬件来校正的,即改变取样电阻值来校正显然不太理想.我认为可以把AD的校正参数可以放在任意的EEPROM或FLASH单元中,通过上位机来校准下位机,下位机的子程序再调用这个校准的参数,应该是一个不错的主意.有的人认为:没有必要了吧!事实上,目前所有的电源电池的GAS芯片都有这项功能,为什么人家要这样做呢?人家也是16BIT的精度,应该够准了吧?为了提高精度,他们往往都把硬件增益和软件都综合地考虑进去了.这样他们在检测高电压的时候,精度可以达到1MV.我认为ATMEG8可以实现此功能,因为它内部有EEPROM,带FLASH的应该也可以.另外我建议大家设计程序的时候,应该仿一些GAS的管理芯片的办法去做,做成通用的子程序,这样在生产测试的时候非常方便,干嘛不使用HDQ16的协议去做呢,一根线,实现很多功能.做成一个上位机,把要实现的功能,要测试的功能,实现得清清楚,明明白白.
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pampcin
LV.2
11
2005-08-17 11:10
@qiuyy
关于温升的问题,我认为要做五颗热电阻,PCB内部本身的一颗(PCB的温升当成环境温升),另外颗是外露检测电芯的,在他们的温度差的基础判断如何?另外现在目前生产的一个非常至关重要的问题就是:电压电流精度的检测,由于目前行业上芯片的AD线性以及电阻的精度都不太好,导致AD转换不太理想,在不同电压端电压精度不一样.目前有些公司比较好的做法就是软件校正,可是我们大多数公司是硬件来校正的,即改变取样电阻值来校正显然不太理想.我认为可以把AD的校正参数可以放在任意的EEPROM或FLASH单元中,通过上位机来校准下位机,下位机的子程序再调用这个校准的参数,应该是一个不错的主意.有的人认为:没有必要了吧!事实上,目前所有的电源电池的GAS芯片都有这项功能,为什么人家要这样做呢?人家也是16BIT的精度,应该够准了吧?为了提高精度,他们往往都把硬件增益和软件都综合地考虑进去了.这样他们在检测高电压的时候,精度可以达到1MV.我认为ATMEG8可以实现此功能,因为它内部有EEPROM,带FLASH的应该也可以.另外我建议大家设计程序的时候,应该仿一些GAS的管理芯片的办法去做,做成通用的子程序,这样在生产测试的时候非常方便,干嘛不使用HDQ16的协议去做呢,一根线,实现很多功能.做成一个上位机,把要实现的功能,要测试的功能,实现得清清楚,明明白白.
从纯技术的角度来说,对于镍氢充电器中所用的元件造成电压、电流精度的影响问题不是很大,因为充电控制不是用绝对电压去处理的,而是一个相对值,至于电流控制上,有用硬件的,也有用软件PWM的,并不需要太高的精度.倒是A/D的分辨率对充饱控制的准确性有决定性的作用.对锂电就要考虑元件的精度影响,要用软件较正.程序中要有自检功能有利于生产测试,当要自检时,通过设定相应条件进入自检,对各功能进行自我测试.
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pampcin
LV.2
12
2005-08-17 11:33
目前的低价格、低成本要求限制了技术的发展和应用.比如AC/DC发热问题,目前都做小功率的,充电电流小,充电时间长,电流大了就要考虑用同步整流以减小发热,这样AC/DC的成本就上去了,谁愿意接受?还有低成本要求限制了电路结构及充电控制方式.打开三洋M60充电器看看,里面用了多少个MOS管?多少个功率三级管?这种低成本、高利润要求让工程师们整天在研究怎样省掉一个三极管、二极管,怎样把程序压缩到不到1k的ROM里.我不是反对硬件、软件的优化,但是这种不正常的处理问题的方式常常是捡了芝麻丢了西瓜.
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qiuyy
LV.6
13
2005-08-17 16:14
@pampcin
从纯技术的角度来说,对于镍氢充电器中所用的元件造成电压、电流精度的影响问题不是很大,因为充电控制不是用绝对电压去处理的,而是一个相对值,至于电流控制上,有用硬件的,也有用软件PWM的,并不需要太高的精度.倒是A/D的分辨率对充饱控制的准确性有决定性的作用.对锂电就要考虑元件的精度影响,要用软件较正.程序中要有自检功能有利于生产测试,当要自检时,通过设定相应条件进入自检,对各功能进行自我测试.
自检程序倒没有必要做,因为浪费存储空间,我认为.还不如做成“他”检测,比如把电压子程序定义成0X10,电流子程序0X11.....再通过HDQ16进行读写,发送一个0X10的时候,就把把相应的I/O口上的采样数据显示到上位机来.通过这种方法把充电器充电管理芯片做成一个“充电智能管理芯片”!MICROCHIP公司就有这样的充电器的一个例程.另外由于温度的影响,零件参数,AD的准确度都会发生改变,所以软件校正的问题就越来越必要了.有一种方法是:做一个精度的稳压源作为参考电压,然后通过读这个稳定源的电压,进行软件自我校正,这不失为一个好的方法.
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liqunli
LV.3
14
2005-08-22 21:58
@pampcin
目前的低价格、低成本要求限制了技术的发展和应用.比如AC/DC发热问题,目前都做小功率的,充电电流小,充电时间长,电流大了就要考虑用同步整流以减小发热,这样AC/DC的成本就上去了,谁愿意接受?还有低成本要求限制了电路结构及充电控制方式.打开三洋M60充电器看看,里面用了多少个MOS管?多少个功率三级管?这种低成本、高利润要求让工程师们整天在研究怎样省掉一个三极管、二极管,怎样把程序压缩到不到1k的ROM里.我不是反对硬件、软件的优化,但是这种不正常的处理问题的方式常常是捡了芝麻丢了西瓜.
我搞了一个案子,是身有体会的,效率可以做高,但成本在30元,我认为在国内可能不好卖,但确实是货真价高.是8颗MOSFET的串联方案,外壳做的比较小,具有可折插头及DC输入的.怎样才能做一个质优价低的呢?以上有个兄弟说采用温度法我有点赞成,很想试用,5颗NTC做对比是不是过充时才发热历害,有没有问题?
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qiuyy
LV.6
15
2005-08-22 23:10
@pampcin
目前的低价格、低成本要求限制了技术的发展和应用.比如AC/DC发热问题,目前都做小功率的,充电电流小,充电时间长,电流大了就要考虑用同步整流以减小发热,这样AC/DC的成本就上去了,谁愿意接受?还有低成本要求限制了电路结构及充电控制方式.打开三洋M60充电器看看,里面用了多少个MOS管?多少个功率三级管?这种低成本、高利润要求让工程师们整天在研究怎样省掉一个三极管、二极管,怎样把程序压缩到不到1k的ROM里.我不是反对硬件、软件的优化,但是这种不正常的处理问题的方式常常是捡了芝麻丢了西瓜.
用价格性比好的单片机,目前行业上公认S3F9454的资源比较好,它有9个10BIT 的AD,4k FLASH.价格也是非常好,是一个专业用来做充电器的单片机.
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qiuyy
LV.6
16
2005-08-22 23:12
@liqunli
我搞了一个案子,是身有体会的,效率可以做高,但成本在30元,我认为在国内可能不好卖,但确实是货真价高.是8颗MOSFET的串联方案,外壳做的比较小,具有可折插头及DC输入的.怎样才能做一个质优价低的呢?以上有个兄弟说采用温度法我有点赞成,很想试用,5颗NTC做对比是不是过充时才发热历害,有没有问题?
这样的高成本的充电器,如果是大电流充电的话肯定有市场,如果是小电流的话就不一定了.
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2005-09-12 19:21
非常感谢彭工,我觉得把这些问题都解决,价格就不会很低了,三洋还不是在中国生产,利用我们廉价劳力,我觉得这里宣扬自己成本低的人有不少片面的人,低压部分整流的发热是少不了的,所以不能一味高参数,一致性的话,飞宏做三洋的,所有元件都有检测,估计参数离散小,检测仪器精度高,这样才会一致性好,模具也好,生产检测都好,能做到飞宏百分之柒拾的价格就不错了.
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2005-09-12 19:23
@qiuyy
关于温升的问题,我认为要做五颗热电阻,PCB内部本身的一颗(PCB的温升当成环境温升),另外颗是外露检测电芯的,在他们的温度差的基础判断如何?另外现在目前生产的一个非常至关重要的问题就是:电压电流精度的检测,由于目前行业上芯片的AD线性以及电阻的精度都不太好,导致AD转换不太理想,在不同电压端电压精度不一样.目前有些公司比较好的做法就是软件校正,可是我们大多数公司是硬件来校正的,即改变取样电阻值来校正显然不太理想.我认为可以把AD的校正参数可以放在任意的EEPROM或FLASH单元中,通过上位机来校准下位机,下位机的子程序再调用这个校准的参数,应该是一个不错的主意.有的人认为:没有必要了吧!事实上,目前所有的电源电池的GAS芯片都有这项功能,为什么人家要这样做呢?人家也是16BIT的精度,应该够准了吧?为了提高精度,他们往往都把硬件增益和软件都综合地考虑进去了.这样他们在检测高电压的时候,精度可以达到1MV.我认为ATMEG8可以实现此功能,因为它内部有EEPROM,带FLASH的应该也可以.另外我建议大家设计程序的时候,应该仿一些GAS的管理芯片的办法去做,做成通用的子程序,这样在生产测试的时候非常方便,干嘛不使用HDQ16的协议去做呢,一根线,实现很多功能.做成一个上位机,把要实现的功能,要测试的功能,实现得清清楚,明明白白.
说实话的人呀,有些道理,不过我的东西定型了^_^
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2005-09-12 19:25
@pampcin
目前的低价格、低成本要求限制了技术的发展和应用.比如AC/DC发热问题,目前都做小功率的,充电电流小,充电时间长,电流大了就要考虑用同步整流以减小发热,这样AC/DC的成本就上去了,谁愿意接受?还有低成本要求限制了电路结构及充电控制方式.打开三洋M60充电器看看,里面用了多少个MOS管?多少个功率三级管?这种低成本、高利润要求让工程师们整天在研究怎样省掉一个三极管、二极管,怎样把程序压缩到不到1k的ROM里.我不是反对硬件、软件的优化,但是这种不正常的处理问题的方式常常是捡了芝麻丢了西瓜.
是呀,应该是保证参数和质量的前提下优化呀,好,我做的充电器只卖给懂的人,大家搞个沙龙^_^
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pan_charger
LV.3
20
2005-09-14 20:45
@qiuyy
这样的高成本的充电器,如果是大电流充电的话肯定有市场,如果是小电流的话就不一定了.
您认为大电流的最低限度是多少?
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