其損耗比普通的做法提升了9W....多可觀咯1...哈,你的工作条件就是需要增加损耗是吧!!

同意你的看法,以非晶做会比纳米晶做更合适.另外,楼主也可以考虑用环形的做了,绕线采用多股并绕的方式,考虑到磁芯感量与工作电流,磁芯需要体积大是一定的.

初次级对换接还是怎么?如把初级当次级,次级当初级,能正常工作?

共模电感对绕线方式有一定要求,如两组绕线方式有其中一组出现错误,我认为是NG的.这个应该是基本常识吧,如有错误,请指正.

有以下几个问题需了解:1.磁芯工作条件,包括工作频率,磁芯功率,电流与电压值等;2.磁芯设计时考虑到的一些参数,包括磁芯规格,绕线方式和匝数比等;我认为有以下几种可能:1.磁芯损耗过大,与材料选取有关系,可在非晶与纳米晶之间做取舍,关键是看你的工作条件;2.线包发烫,与工作频率和线径选择有关系;3.磁芯传递磁能,气隙储存磁能.5480兄说得有道理,气隙口存储能量,磁通太过集中,散磁过大,导致磁芯气隙口处发烫,这里还需注意的是你的绕线方式,一般绕线会将气隙口处绕起来;4.电感过热,并有烧焦的味道.这应该有两种原因引起,一是铁芯为固化产品,过热导致固化剂软化,二是此铁芯是否喷涂,如喷涂,过热同样会有异味.以上为个人想法,仅供参考.

我倒建议用硅胶包裹端子后再去浸漆,硅胶可固化且为软性,易剥离,没试过,不知是否可行.

同意cafetea所说,但有以下有关项可以补充:1.与磁芯重量有关系,同一磁场,磁芯越重,其衰减越小2.非晶类的话,铁基非晶>铁基纳米晶3.与气隙宽度有关系,气隙越大,同一磁场,其衰减越小

我同意麥子兄的说法,GAP越大,其AL值越低,但当GAP达到一定宽度后,其AL变化值相应变小,同理其误差控制起来就越容易,因此GAP越大,其误差要求越小.关于gaptogapcombination,ungappedtogapcombination是什么意思在附件第五页右上角中有这样一段解释:'Ungappedtogapcombination'meananasymmetricalgap;theentiregapistakenfromonepiece,andtheotherpieceisungapped.'Gaptogapcombination'meanthegapissymmetrical;halfofthetotalgapisgroundinoeachpiece.GAPtoGAP是对称性的气隙,也即为麥子兄所说雙邊磨,ungaptogap是非对称性的气隙,也即为麥子兄所说單邊磨,这都是出于不同的电源设计的需求所提供的一些参数.