刘权：
infinion确实贵，我们是海归hunteck 原厂，质量好，价格便宜，QQ：1937108157，中压低压SGTmos,高压coolmos 中压MOS工艺比较 沟槽工艺：开关损耗大，内阻大 。代表：国内厂家植入工艺：开关损耗小，内阻小。 代表：VishaySGT工艺：开关损耗更小，内阻更小。代表：InfineonHunteck 高压MOS工艺比较平面工艺：开关损耗大，内阻大。 代表：国内厂家coolmos工艺：开关损耗小，内阻小，价格高。代表infinion 超结工艺：开关损耗小，内阻小，价格低 。代表：hunteck 中压mos晶圆尺寸比较HuntestSGT 100InfineonOptiMOS3 102 InfineonOptiMOS2 165 IR 193AOSnewSGT 114 AOSoldSGT 148Magnachip 142MOS抗冲击电流，雪崩EASUIS比较Infineon100Hunteck 100IR 80Toshiba 75AOS 75and33电压变化破坏试验Hunteck中压100vSGTmos设计有增强型寄生二极管 在60v30A500A/us230度没有破坏Hunteck高压mos设计有长寿命控制寄生二极管降低逆向恢复电荷10个点。平滑的开关性能 平滑开关曲线保证好的EMI 性能，线路设计比较容易可靠。开关速度可以在SGT和普通mos之间控制，其他参数保持不变。 大电流开关的好处高温大电流关断是衡量mos好坏的关键点。 MOS关断前通过饱和区域发生在以下情景：马达锁死；输出短路；上电瞬间。关闭失效与热失控 实际上一个好的设计可以做到热失控。MOS开始泄漏直到饱和失效。Hunteck热失控可以高到250度不好的设计在热失控前温度低的时候就崩溃了。崩溃前并没有泄漏，在关闭的时候就崩溃了。 [图片]