1.需根据VCC电流选择合适的限流电阻以及基极驱动电流。2.需要计算三极管的损耗，看三极管选择的尺寸和热阻是否合适，需要计算温升是否满足要求。 3.如果实际VCC需求电流较大，需要增加额外的辅助电路，从变压器辅助绕组供电，给VCC供电。启动是，VCC通过输入经三极管供电，正常工作后，由辅助电源供电，三极管截止不工作。

1.首先，你的输入电压很宽，输出电流比较大，合适的拓扑可能有：1：升压到750V（800V直通）或者直接升压到850V+有源钳位正激，成本高，PCB面积大。2：反激，输出采用肖特基二极管并联。成本小，PCB面积小。MOSFET需要选择1000-1200V左右。

1.Q3,Q12是ORing两个管子，主要是用来防止倒灌和防反接。大功率器件二极管损耗太大了。 2.Q4是防浪涌MOSFET。主要是用于开机瞬间，输入电容充电走RT电阻，等充电到一定程度后，打开Q4，短路掉RT1，RT2。

1.看着像是地弹噪声。另外，这个应该是线间的，所以可以增加MLCC电容试试，10uf，1uf，0.1uf试试。2.输出二极管上RCD增大试试。 3.不确定是否是原边变压器耦合导致的，可以尝试在变压器两端增加一个1000pf电容试试。 4.另外PCB走线，变压器输出，二极管，输出电容的环路尽量小，另外输出功率地线够粗。如果纹波小于3%，受电端和EMI都可以接受，可以不管这个噪声。

1.降低变压器漏感，这个是最重要的。2.降低VOR电压，选择合适的匝比，不过从图上看，平台电压也不高。所以这条改善不大。3.增加输出缓启动，但是不管多慢的缓启动，启动Vds肯定大于正常工作的Vds电压。4.加重原边MOSFET吸收电路，但是会牺牲效率。5.增大原边MOSFET驱动电阻，但是也会牺牲效率。6.增大环路响应速度，另外也要确人正常工作环路稳定性。 7.另外300W的反激，原边MOSFET内的峰值电流太大了，漏感中储存的能量太高，如果可以，最好换个拓扑结构。一般150W以下选择反激会合适点。

应该是偶尔有异常情况会丢失吧，因为现在有瞬间掉电系统不重启的要求，比如10ms掉电要维持系统正常工作，以前是20ms，最新标准好像改成10ms了。这些都是针对用电设备的电源来说的。但是这个可能不是单纯的指负半周掉电，只是这种可能是最恶劣的情况。至于原因肯能要从供电系统那面来看了

是的，普通瓷片电容是不能做安规电容来用的，这种产品过不了UL，和3C，估计只是低端山寨产品吧。不符合市场准入的

这个距离是有要求的，对于多层板高压区域，层和层之间的耐压，同层之间的耐压，内层和外层走线的耐压都有设计要求，不然高压测试不通过，或者长期工作容易放电导致器件损坏。层和层之间取决于填充材料及厚度，另外外层还要考虑海拔的要求

有关系，要根据瞬间成熟的浪涌电流来评估需要多大的线宽，不然打雷击的时候容易把线烧坏，另外等效阻抗大也会影响浪涌保护性能

我的理解是电阻的尺寸跟耐压以及耐受功率，工艺都有关系。关于间距可以参考UL60950-1或者IPC9592