伈佑：
这个公式可以说是单个开关周期内建立电场Qg，一：个人不觉得这个是损耗，因为这个能力并没有产生热，只是通过GS电容存储起来了，电子在Gate处聚集形成电场，在Doff时，能量是要通过偏置电阻泄放的，只能说MOS在驱动时需要这个功率； 二、P=UI,i=Q/t=Q*f，所以P=U*Q*f，这个式子可否理解为我需要在一整个周期内才建立Qg的电荷，必然造成相当大的误差，因为这个t此时不能用1/f来替代了，甚至可以根据设计者希望在多少时间内（us）建立使MOS完全导通的电场。